Reaktionssintern Siliziumkarbid Einführung

Reaktionsgesintertes Siliciumcarbid, auch bekannt als selbstgebundenes Siliciumcarbid, bezieht sich auf den Prozess, bei dem ein poröser Barren mit einer Gasphase oder einer flüssigen Phase reagiert, um die Qualität des Barrens zu verbessern, die Poren zu reduzieren und das fertige Produkt mit a zu sintern gewisse Festigkeit und Maßhaltigkeit. Das α-SiC-Pulver und der Graphit werden in einem bestimmten Verhältnis gemischt und auf etwa 1650ºC erhitzt, um einen Block zu bilden. Gleichzeitig dringt es durch die Gasphase Si in die Stahlbramme ein, reagiert mit Graphit zu β-SiC und verbindet die vorhandenen α-SiC-Partikel. Wenn Si vollständig infiltriert ist, kann ein Reaktionssinterkörper mit einer vollständigen Dichte und einer Größe ohne Schrumpfung erhalten werden. Im Vergleich zu anderen Sinterprozessen ist die Dimensionsänderung des Reaktionssinterns beim Verdichtungsprozess gering, und es kann ein Produkt mit einer genauen Größe erhalten werden, aber das Vorhandensein einer großen Menge von SiC im Sinterkörper verschlechtert die Hochtemperaturleistung von die reaktionsgesinterte SiC-Keramik.

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