Siliziumkarbid-Keramikplatte
Einführung
Siliziumkarbid-Keramikplatten, die zum Brennen von allgemeinem Porzellan und Keramikprodukten (Temperatur unter 1.450 Grad) verwendet werden, bestehen aus SiC, das mit Siliziumoxid (Si2O3) verbunden ist, und werden technisch als "oxidgebundenes Siliziumkarbid" bezeichnet.
Technische Parameter
Typische Qualitätsanalyse |
| Oxidgebunden |
SiC (O-SiC) | ||
max. Betriebstemperatur (Grad) | 1450 | |
Chemische ZusammensetzungSiC (Prozent) | 90 | |
SiO2 | 8 | |
Scheinbare Porosität (Prozent) | 7-8 | |
Schüttdichte (g/cm3) | 2.75 | |
Bruchmodul | 50 | |
bei RT (Mpa) | ||
1400 Grad | 55 | |
Wärmeausdehnung | 4.2-4.8 | |
bei 1000 Grad (10-6K-1) | ||
Wärmeleitfähigkeit | 13.5-14.5 | |
bei 1000 Grad (W/mK) |
Produktvorteil
Dieses feuerfeste SiC-Material hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit (fast 10-mal höher als das feuerfeste Mullit) und eine hohe Strahlungsrate von langwelligem Infrarot, die den Produkten eine sehr hohe Wärmeeffizienz verleiht.
In Bezug auf die Kostenleistung zum Brennen allgemeiner Porzellan- und Keramikprodukte ist dieses oxidgebundene SiC das wertvollste und am besten geeignete feuerfeste Material. Die maximal empfohlene Betriebstemperatur unserer SiC-Platte (O-SiC) beträgt 1.450 Grad.
Produktionsausrüstung
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