Das Sintern in einem reaktionsgebundenen Siliciumcarbidgegenstand bezieht sich auf einen Verfestigungsprozess, bei dem das pulverförmige Material oder sein Formkörper auf eine Temperatur erwärmt wird, die niedriger als der Schmelzpunkt seiner Hauptkomponente ist, um die Festigkeit zu erhöhen. Als Wärmebehandlungsverfahren kann das Sintern in ein Festphasensintern und ein Sintern unter der flüssigen Phase unterteilt werden. Ersteres bezieht sich auf das Sintern eines reinen festen Materials, und letzteres bezieht sich auf das Sintern unter Beteiligung einer flüssigen Phase. Entsprechend dem Verfahren gibt es viele Methoden zum Sintern, und es entstehen immer noch neue Methoden.
Die grundlegende Triebkraft für das Sintern reaktionsgebundener Siliciumcarbidprodukte ist die Verringerung der Oberflächenenergie des Systems, die durch die Migration von Substanzen erreicht wird. Die Hauptmassenübertragungsformen sind Durchflussmassenübertragung, Festphasenmassenübertragung, Flüssigphasenmassenübertragung und Gasphasenmassenübertragung. Der Durchflussmassentransfer umfasst den plastischen Fluss und den viskosen Fluss. Mögliche Mechanismen des Stoffübergangs in fester Phase, flüssiger Phase und Gasphase sind Diffusion, Lösungsfällung und Verdampfungskoagulation.
Es gibt viele Faktoren, die das Sintern von reaktionsgebundenen Siliciumcarbidprodukten beeinflussen, wie die Größe und Verteilung der Teilchen und die Integrität des Kristalls. Je kleiner die Partikelgröße ist, desto mehr Fehler weist der Kristall auf und desto leichter ist das Sintern. Es gibt auch die Art und Menge der Zusatzstoffe. Die Rolle des Additivs besteht darin, mit der Hauptsinterphase einen durch feste Lösung aktivierten Kristall zu bilden oder eine flüssige Phase zu erzeugen, um den Stoffübergangsprozess zu beschleunigen und das Kornwachstum zu steuern. Darüber hinaus haben die Bedingungen des Sinterprozesses, wie Sintertemperatur, Heizsystem und -atmosphäre, Körperdichte und Heißpressdruck, einen großen Einfluss auf das Sintern von reaktionsgesinterten Siliciumcarbidprodukten
