Reaktionsgebundener Siliziumcarbid-Strahl
Reaktion Bonded Silicon Carbide Beam Einführung
Dies ist reaktionsgebundenes (Silicium infiltriertes) Siliciumcarbid, das durch Auffüllen der offenen Porosität mit Siliciummetall (Si) keine Porosität aufweist. Aufgrund seiner Eigenschaft, keine Porosität zu haben, ist die Wärmeleitfähigkeit mehr als doppelt so hoch wie bei oxidgebundenen SiCs, die Biegefestigkeit ist mehr als 5 mal höher im Vergleich zu oxidgebundenem SiC.
Reaktionsgebundene Siliziumcarbid-Strahl-Spezifikationen
Artikel | Einheit | Index |
Anwendungstemperatur | ℃ | 1380 |
Dichte | g / cm3 | ≥ 3,02 |
Offene Porosität | % | ≤ 0,1 |
Biegefestigkeit | Mpa | 250 (20 ℃) |
Mpa | 280 (1200 ℃) | |
Elastizitätsmodul | Gpa | 330 (20 ℃) |
Gpa | 300 (1200 ℃) | |
Wärmeleitfähigkeit | W / mk | 45 (1200 ℃) |
Der Wärmeausdehnungskoeffizient | K-1 × 10-6 | 4.5 |
Steifigkeit | 13 | |
Säure- und Alkalibeständigkeit | Ausgezeichnet |

Reaktion Bonded Silicon Carbide Beam-Funktion
Die Besonderheit von RBSIC (SiSiC) ist die hohe Festigkeit von Raumtemperatur bis 1350 ° C. Außerdem hat es eine sehr hohe Oxidationsbeständigkeit, chemische Beständigkeit und Verschleißfestigkeit. Verwendet als Strahl, Rolle, Strahlrohrbrenner und Brennerdüse usw.
Wir haben Querträger, festen Strahl und speziellen Formstrahl.
Reaktionsgebundener Siliziumkarbidträger wird auf den Tragrahmen von Tunnelofen, Pendelofen und Industrieofen aufgebracht. reaktionsgebundener Siliziumcarbidträger zeichnet sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, keine Biegeverformung und lange Lebensdauer aus und ist ein idealer Ofen für Sanitärkeramik- und Elektrokeramiköfen. reaktionsgebundenes Siliciumcarbid mit guter Wärmeleitfähigkeit kann den Energieverbrauch erheblich senken.

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